金相顯微鏡對環(huán)境的要求-磁場

    金相顯微鏡對環(huán)境的要求-磁場

    金相顯微鏡對磁場的要求一般是不大于數(shù)十到數(shù)百納特斯拉。當(dāng)四周磁場強(qiáng)度超越規(guī)范時，可以用磁屏障（EMI Shielding）或采用自動式消磁器來解決問題。

　　依據(jù)頻率的分別，一般把電磁場分為直流（0赫茲）電磁場、低頻（數(shù)十到數(shù)百赫茲）電磁場和中高頻電磁場。由于高于數(shù)百赫茲的中高頻電磁場場強(qiáng)很低，對金相顯微鏡的影響極小，直流電磁場不影響圖像質(zhì)量，程度偏向的直流電磁場只會使圖像有極細(xì)小的整幅偏移，毫伏級的垂直偏向直流電磁攪擾更是不會有任何關(guān)擾，所以關(guān)于金相顯微鏡一般只考慮數(shù)十赫茲的低頻電磁攪擾。

　　依據(jù)電磁波傳輸?shù)脑恚陬l率很低的時候，趨膚效應(yīng)、磁滯損耗以及反射損耗都很小，低頻電磁波的能量首要由磁場能量組成。所以這時所要屏障的應(yīng)該是電磁波的磁場重量。

　　屏障低頻電磁攪擾的原理是磁路并聯(lián)旁路分流。經(jīng)過運(yùn)用導(dǎo)磁材料（如低碳鋼、硅鋼等）制造的屏障體來供應(yīng)磁旁路，降低屏障體內(nèi)部的磁通密度。同時盡量增大渦流損耗，使局部能量轉(zhuǎn)化為熱能耗費(fèi)掉。屏障資料越厚則磁通面積越大、磁阻越小屏障結(jié)果越好。渦流損耗越大，轉(zhuǎn)換為熱能而損耗的磁能越多，屏障結(jié)果越好。導(dǎo)電率高而導(dǎo)磁率低的材料（如銅、鋁等）對電磁波的磁場重量沒有屏障效果。

　　實驗測試數(shù)據(jù)表明，導(dǎo)磁率高的材料（如硅鋼、玻莫合金等）在制造體積達(dá)數(shù)十立方米的金相顯微鏡磁屏障室時結(jié)果很差。冷軋硅鋼板的均勻?qū)Т怕始s為20000，通常低炭鋼板導(dǎo)磁率約為4000，似乎冷軋硅鋼板的低頻電磁屏障結(jié)果會遠(yuǎn)好于通俗低炭鋼板，但實際并非如此，在制造體積較大的磁屏障室時，因為硅鋼、玻莫合金等高導(dǎo)磁資料的可焊性很差，而且無法在焊接后進(jìn)行熱處置，所以只能平鋪或搭接，所以整個磁屏障室的磁通路就被很多空氣隙（導(dǎo)磁率約為1）所間隔，高導(dǎo)磁材料的功能得不到充分應(yīng)用。而低炭鋼具有*的可焊性，依照準(zhǔn)確的施工工藝施工，在厚度一樣的前提下，低炭鋼板的屏障結(jié)果反而優(yōu)于硅鋼板或玻莫合金板。

　　改善屏障體的導(dǎo)電性如在屏障體上復(fù)合鋁（銅）板、門邊加裝梳狀導(dǎo)電條等，對于低頻電磁屏障是*無效的。門邊加裝梳狀導(dǎo)電條反而會增大磁阻，降低屏障結(jié)果。低頻電磁屏障對屏障體的厚度有要求的。